IPB009N03L G 全國供應商、價格、PDF資料
IPB009N03L G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:0.95 毫歐 @ 100A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:227nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:25000pF @ 15V
- 功率_最大:250W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-7
- 包裝:剪切帶 (CT)
IPB009N03L G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:0.95 毫歐 @ 100A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:227nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:25000pF @ 15V
- 功率_最大:250W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-7
- 包裝:帶卷 (TR)
IPB009N03L G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:0.95 毫歐 @ 100A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:227nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:25000pF @ 15V
- 功率_最大:250W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-7
- 包裝:Digi-Reel®
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